近日，業(yè)內(nèi)盛傳英偉達（NVIDIA）正在考慮將全新的擁有諸多優(yōu)勢的 CoWoP(Chip-on-Wafer-on-Platform PCB)作為其下一個封裝解決方案，可能將會率先導入其下一代 Rubin GPU 使用。不過，摩根士丹利的一份報告稱， 雖然英偉達可能正在開發(fā)CoWoP技術(shù)，但短期內(nèi)不太可能大規(guī)模應用。摩根士丹利最新報告顯示，2026年全球CoWoS晶圓總需求將達100萬片，其中英偉達獨占59.5萬片（占比60%），臺積電承接其51萬片訂單，用于Rubin架構(gòu)AI芯片的CoWoS-L封裝；剩余8萬片由Amkor、日月光等外包封測廠家分擔。

CoWoS技術(shù)是什么？

CoWoS全稱是Chip on Wafer on Substrate，是一種半導體封裝技術(shù)，中文可譯為“芯片-晶圓-基板”或“基板上晶圓芯片”，即芯片集成到晶圓，再將其封裝到ABF載板上，最后連接到PCB上。

CoWoS技術(shù)是什么？

CoWoP全稱Chip on Wafer on Platform PCB,是芯片→晶圓→直連PCB，省掉封裝基板環(huán)節(jié)，相當于芯片直接跳過封裝基板，直接與PCB相連。

CoWoP核心邏輯：干掉封裝基板，讓芯片直接與PCB相連，簡單講CoWoP = CoWoS - 封裝基板。

CoWoP（Chip on Wafer on PCB）作為一項顛覆性封裝技術(shù)，正驅(qū)動PCB產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)與價值升級，以下具體闡述其核心趨勢及影響。

一、技術(shù)本質(zhì)與核心突破

1. 結(jié)構(gòu)革新

取消ABF載板：將芯片通過硅中介層直接鍵合至多層PCB，實現(xiàn)“PCB載板化”，減少信號中轉(zhuǎn)損耗30%以上，提升散熱效率15-20%。

性能躍升：信號路徑縮短25%，電壓調(diào)節(jié)器靠近GPU優(yōu)化電源完整性，裸晶直觸PCB提升熱傳導效率。

成本重構(gòu)：省去ABF載板（占封裝成本30%-50%）和BGA焊接步驟，但PCB因承載芯片級互連功能，價值量提升2-3倍（從普通PCB的3-4萬元/㎡升至10-12萬元/㎡）。

2. 量產(chǎn)瓶頸突破

工藝核心：依賴MSAP（改良半加成法）實現(xiàn)微米級線路精度（線寬≤20μm），需載體銅箔）和Low-CTE材料（熱膨脹系數(shù)<5ppm）。

材料升級：①銅箔：2-3μm載體銅的加工費 200元/公斤（毛利率超60%），全球僅日本三井、盧森堡銅箔掌握量產(chǎn)技術(shù)；②玻纖布：Low-CTE玻璃布和石英纖維布（Q-布）需求激增。

二、產(chǎn)業(yè)化進程與關(guān)鍵節(jié)點

1. 技術(shù)落地時間表

2025下半年：英偉達Rubin Ultra芯片或率先采用CoWoP，正交背板技術(shù)加速NVL576/288機柜部署。

2026-2027年：3.2T光模塊、AI服務器放量，推動CoWoP滲透率達30%。

2. 供應鏈調(diào)整

國產(chǎn)替代加速：海外廠商擴產(chǎn)受限，國內(nèi)頭部PCB廠商積極擴產(chǎn)HDI/mSAP產(chǎn)能，搶占GB200/300系列市場份額。

客戶驗證突破：高端PCB廠商已向Meta、谷歌送樣ASIC PCB。

三、市場前景與規(guī)模測算

1. 增量市場空間

ABF替代：2024年ABF市場規(guī)模60億美元，若CoWoP滲透率30%，新增PCB市場超18億美元。

高階PCB需求：2027年AI服務器、光模塊、華為服務器驅(qū)動總需求超180萬㎡（對應1800億元），其中：英偉達2萬機柜需30萬㎡高階PCB，3.2T光模塊年需100萬㎡。

2. 材料爆發(fā)點

銅箔：載體銅箔2027年需求預計超3萬噸。

玻璃布：7階HDI需14張/㎡（傳統(tǒng)5階的14倍），2027年需求1000萬㎡。

四、風險與挑戰(zhàn)

1. 技術(shù)不確定性：MSAP良率提升。

2. 競爭加劇：臺積電推進CoWoS-L技術(shù)反制，封裝路線博弈持續(xù)。

3. 地緣政治：高端材料（如Low-Dk樹脂）進口依賴度超80%，供應鏈安全存憂。

五、總結(jié)

CoWoP通過“取消載板+PCB功能升級”重構(gòu)封裝模式，總體來看，CoWoP仍處于技術(shù)探索的階段，盡管短期內(nèi)不太可能大規(guī)模應用，但其技術(shù)優(yōu)勢明顯，未來成為主流的可能性極大，CoWoP的探索標志著半導體行業(yè)從 “制程驅(qū)動” 向 “系統(tǒng)集成驅(qū)動” 的轉(zhuǎn)型，其成功與否將深刻影響未來AI芯片的性能天花板和產(chǎn)業(yè)競爭格局。

在技術(shù)（MSAP工藝）、材料（Low-CTE布/銅箔）、產(chǎn)能三重突破下，國內(nèi)市場份額提升的確定性極高， 花園新能源聚焦于銅箔材料的進口替代，目前18+3與18+5載體銅箔已實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，未來將持續(xù)開發(fā)18+2，18+1載體銅箔，以助力CoWoP技術(shù)的發(fā)展。